IGBT：绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)。
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
如何才能实现高的可靠性呢？这可以分为设计阶段和批量生产两个方面去实现：
设计阶段考虑之一：封装材料的选取，比如芯片技术、焊接材料、外壳封装材料、芯片钝化层的材料；
设计阶段考虑之二：封装连接工艺的采用，比如焊接工艺、烧结工艺、键合线的几何形状、弹簧连接；
设计阶段考虑之三：芯片的布局，比如实现更好的均流，降低电磁干扰的影响；
批量生产中主要考虑稳定的工艺实现过程及其精准的控制。
在设计阶段对产品进行可靠性测试显得尤为重要。根据相应的国际标准进行了以下可靠性测试：
HTRB ，高温反偏测试
HTGB，高温门极（栅极）反偏测试
H3TRB ，高温高湿反偏测试
HTS ，高温存储测试
LTS ，低温存储测试
TC ，热循环测试
PC ，功率循环测试
Vibration ，振动测试
Mechanical shock ，机械冲击测试
