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IGBT模块高温阻断自动老化产线
无功功率老化测试自动化产线
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高温偏置类老化系统
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高加速寿命试验(HAST)
正向功率老化系统
综合老化(HTOL / Operation Life)
间歇寿命试验(IOL)
高低温功率循环(PTC)
无功功率试验系统
更多>>
二极管可靠性试验系统
集成电路老化测试系统
集成电路(HTOL-IC)
电源模块/继电器
电源模块(能量反馈型)
继电器高温老化系统
其他More
SiC晶圆高温老化测试
SiC晶圆高温老化测试系统
电容器高温试验设备
电容器可靠性试验
微波器件 老化试验
微波功率器件直流老化
微波功率器件射频老化
配件系列
老化测试座
老化板
夹具/治具
迪派大功率直流电源
连接器
解决方案
半导体分立器件可靠性试验
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产线型自动老化系统
IGBT模块高温阻断自动老化产线
T668A
(热台型+模块)
200℃
最高试验温度
16(HPD为例)
单机工位数
2000V
最高试验电压
T660A
(烘箱型+单管/模块)
175℃
最高温度
2000V
试验电压
≥2000units
UPH
无功功率老化测试自动化产线
T338A
(无功功率+模块)
600A
无功测试电流
默认10KHz
载波频率
50VDC~1000VDC
母线电压
自动上下料机
BIB-T718A
(全自动上下料)
TO,DIP,SOT等
支持封装类型
OTS老化座
配置老化座
tray盘
供料模式
正向功率老化系统
综合老化(HTOL / Operation Life)
BTD-T800
(16通道)
16
整机通道数
16路*1.000A
单板恒流源
Vc+Vb
试验电源配置
BTD-T800T
(高温型)
150℃
试验温度
16路*1.000A
单板恒流源
Vc+Vb
试验电源配置
间歇寿命试验(IOL)
BTD-T810
(IOL-△Tj测试)
24 / 80
单板工位数
Im / K系数
结温测试
二 / 三极管
MOS / IGBT单管
MK-T8000
(K系数测试仪)
25~ 175℃
试验温度
±0.1mV
Vf 采样精度
12工位
容量
高低温功率循环(PTC)
BTD-T877
(Power&Temperature Cycling)
-40℃~125℃
试验温度范围
≥10min
温区停留时间
0.5/0.8/1.0 Ω
驱动电流
无功功率试验系统
BTD-T338
(无功功率老化测试)
2
工位数量
<3uS
高速过流保护
50~1000VDC
母线电压
功率循环(Power Cycling)
BTW-T331
(功率循环Power Cycling)
水冷+辅热
温控方式
3~12(器件决定)
整机工位数
1200A / 3600A
最高恒流
MK-T8100
(热阻测试仪)
-10℃~+200℃
试验温度范围
4颗器件
整机工位数
1.0~500.0mA
Im发生
二极管可靠性试验系统
BTD-T890
(稳压二极管300V/600V)
12个
单通道恒流源
192工位
整机工位数
30W
单路恒流能力
BTD-T870
(全动态)
200
整机工位数
50Hz交流
试验加载方式
3.0A/2000V
IF/VR范围
电源模块/继电器
电源模块(能量反馈型)
BTE-T283
(16通道)
125℃
最高试验温度
192
整机工位数
48V/50W
单路负载能力
BTE-T285
(大功率老化房)
单通道8路正极性
电子负载
3.0V~100.0V
适用范围
0.05A~20.00A
负载电流范围
继电器高温老化系统
BTSR-T160
(固态继电器)
150℃
最高试验温度
256
整机工位数
0~10.0A
电子负载
BTR-T180
(电磁继电器)
150℃
最高试验温度
256
整机工位数
开关/低电平
试验方式
其他More
BTE-T252
(三端稳压器)
150℃
最高试验温度
640
整机工位数
200mA/5W
单路电子负载
BTD-T886
(光电器件/光通讯模块)
16
整机通道数
单光耦896
整机工位数
200mA/5W
单路电子负载
BTD-T886
(光电器件/光通讯模块)
150℃
最高试验温度
2560
整机工位数
64路
单通道恒流源
BTD-T910
(电阻器)
150℃
最高试验温度
640
整机工位数
开尔文测试
测试模式
电容器高温试验设备
电容器可靠性试验
BTC-T400
(16通道)
175℃
最高试验温度
640
整机工位数
1200V
最高试验电压
BTC-T400H
(超高压6000V)
175℃
最高试验温度
384
整机工位数
6000V
最高试验电压
BTC-T481
(威布尔weibull/钽电容)
175℃
最高试验温度
1120
整机工位数
300V
最高试验电压
BTC-X4000
(MLCC 10000units)
210℃
最高试验温度
10000
整机工位数
200.0V
最高试验电压
配件系列
老化测试座
老化测试座Test socket定制
自主开模设计
实现方式
150/175℃
最高耐温
>50K小时
使用寿命
老化板
老化板Burn-in Board 定制
自主开板设计
实现方式
150/175/200℃
最高耐温
>50K小时
使用寿命
夹具/治具
射频夹具 RF fixture
旋进式垂直下压
设计方式
高低频匹配
外围匹配
>10K小时
使命寿命
迪派大功率直流电源
中安下属子公司
(迪派电源)
750W/1200W
19英寸2U
2400W
数显程控
6000W
低纹波/高可靠
连接器
高温连接器
自主开模
设计方式
150/175/200℃
耐温范围
>50K小时
使用寿命
高温偏置类老化系统
高温反偏(通用型)
BTR-T600pro
(HTRB/HTGB/HTXB)
200℃
最高试验温度
80工位单板
试验工位
2000Vrb 60Vgb
试验电压
BTR-T600
(HTRB)
150/175/200℃
最高试验温度
80
单通道工位数量
2000V
最高试验电压
BTR-T610
(超高压8000V)
150/175/200℃
最高试验温度
640
整机工位数
6000V
最高试验电压
高温反偏(专用型)
BTR-T668
(IGBT模块热台型HTRB)
150/175℃/200℃
最高试验温度
48
整机工位数
±2000V
最高试验电压
BTR-T660
(IGBT模块烘箱型HTRB)
200℃
最高试验温度
16
整机通道
±2000V
试验电压
BTR-T660pro
(IGBT模块HTRB/HTGB)
200℃
最高试验温度
16
整机通道
±2000V ±100Vgb
试验电压
BTR-T651
(DRB/DGB/DGS)
210℃
最高试验温度
96
整机工位数
25KHz / 1200V
最高试验电压
BTR-T640
(微波SiC/GaN)
150/175℃
最高试验温度
640
整机工位数
Vd+Vg
加电方式
高温高湿(H3TRB)
BTR-T671
(16通道/一体机)
-20℃~+150℃
最高试验温度
≤1280
整机工位数
2000V
最高试验电压
BTR-T676
(IGBT模块H3TRB)
-20~150℃
试验温度范围
≤640
整机工位数
1000V
最高试验电压
高加速寿命试验(HAST)
HAST / B-HAST
(高加速应力试验)
高温高湿高压
环境参数
72
整机工位数
可定制
供电方式
集成电路老化测试系统
集成电路(HTOL-IC)
BTI-T3000
(16通道)
150℃
最高试验温度
16
试验通道数
Vcc/Vmux/Vee
直流电压源
BTI-T3000pro
(TDBI)
150/175℃
最高试验温度
16
试验通道数
逻辑值比较
TDBI
BTI-X3300
(功率15W以下IC)
150℃
最高试验温度
16
试验通道数
184路/16M
数字信号
BTI-T3900
(晶体振荡器)
150℃
最高试验温度
320
整机工位数
100~200MHz
频率检测范围
BTI-X3300pro
(DSP/FPGA)
150℃
最高试验温度
10
试验通道数
256路/10M
数字信号
SiC晶圆高温老化测试
SiC晶圆高温老化测试系统
WLXB6000
(SiC Wafer Level)
200℃
测试温度
768*3
整机工位数
GB:±60V RB:2000V
最高试验电压
微波器件 老化试验
微波功率器件直流老化
BTW-T530
(10W以下)
175/200/250℃
最高试验温度
192
整机工位数
15V / 100mA
最大试验条件
BTW-T550
(10W以上)
45~150℃
壳温控制
48
试验工位数
55V/8A/150W
最大试验条件
微波功率器件射频老化
BTW-T540
(VCO / 10W以下)
150℃
最高试验温度
64
整机工位数
点频加载
激励信号
BTW-T560
(VCO / 10W以上)
45~150℃
壳温控制
48
试验工位数
L/P/S/C/X可选
射频激励
BTW-T598
T/R组件
针对器件
5路独立电源
试验电源
水冷
散热方式
产线型自动老化系统
IGBT模块高温阻断自动老化产线
T668A
(热台型+模块)
200℃
最高试验温度
16(HPD为例)
单机工位数
2000V
最高试验电压
T660A
(烘箱型+单管/模块)
175℃
最高温度
2000V
试验电压
≥2000units
UPH
无功功率老化测试自动化产线
T338A
(无功功率+模块)
600A
无功测试电流
默认10KHz
载波频率
50VDC~1000VDC
母线电压
自动上下料机
BIB-T718A
(全自动上下料)
TO,DIP,SOT等
支持封装类型
OTS老化座
配置老化座
tray盘
供料模式
高温偏置类老化系统
高温反偏(通用型)
BTR-T600pro
(HTRB/HTGB/HTXB)
200℃
最高试验温度
80工位单板
试验工位
2000Vrb 60Vgb
试验电压
BTR-T600
(HTRB)
150/175/200℃
最高试验温度
80
单通道工位数量
2000V
最高试验电压
BTR-T610
(超高压8000V)
150/175/200℃
最高试验温度
640
整机工位数
6000V
最高试验电压
高温反偏(专用型)
BTR-T668
(IGBT模块热台型HTRB)
150/175℃/200℃
最高试验温度
48
整机工位数
±2000V
最高试验电压
BTR-T660
(IGBT模块烘箱型HTRB)
200℃
最高试验温度
16
整机通道
±2000V
试验电压
BTR-T660pro
(IGBT模块HTRB/HTGB)
200℃
最高试验温度
16
整机通道
±2000V ±100Vgb
试验电压
BTR-T651
(DRB/DGB/DGS)
210℃
最高试验温度
96
整机工位数
25KHz / 1200V
最高试验电压
BTR-T640
(微波SiC/GaN)
150/175℃
最高试验温度
640
整机工位数
Vd+Vg
加电方式
高温高湿(H3TRB)
BTR-T671
(16通道/一体机)
-20℃~+150℃
最高试验温度
≤1280
整机工位数
2000V
最高试验电压
BTR-T676
(IGBT模块H3TRB)
-20~150℃
试验温度范围
≤640
整机工位数
1000V
最高试验电压
高加速寿命试验(HAST)
HAST / B-HAST
(高加速应力试验)
高温高湿高压
环境参数
72
整机工位数
可定制
供电方式
正向功率老化系统
综合老化(HTOL / Operation Life)
BTD-T800
(16通道)
16
整机通道数
16路*1.000A
单板恒流源
Vc+Vb
试验电源配置
BTD-T800T
(高温型)
150℃
试验温度
16路*1.000A
单板恒流源
Vc+Vb
试验电源配置
间歇寿命试验(IOL)
BTD-T810
(IOL-△Tj测试)
24 / 80
单板工位数
Im / K系数
结温测试
二 / 三极管
MOS / IGBT单管
MK-T8000
(K系数测试仪)
25~ 175℃
试验温度
±0.1mV
Vf 采样精度
12工位
容量
高低温功率循环(PTC)
BTD-T877
(Power&Temperature Cycling)
-40℃~125℃
试验温度范围
≥10min
温区停留时间
0.5/0.8/1.0 Ω
驱动电流
无功功率试验系统
BTD-T338
(无功功率老化测试)
2
工位数量
<3uS
高速过流保护
50~1000VDC
母线电压
功率循环(Power Cycling)
BTW-T331
(功率循环Power Cycling)
水冷+辅热
温控方式
3~12(器件决定)
整机工位数
1200A / 3600A
最高恒流
MK-T8100
(热阻测试仪)
-10℃~+200℃
试验温度范围
4颗器件
整机工位数
1.0~500.0mA
Im发生
二极管可靠性试验系统
BTD-T890
(稳压二极管300V/600V)
12个
单通道恒流源
192工位
整机工位数
30W
单路恒流能力
BTD-T870
(全动态)
200
整机工位数
50Hz交流
试验加载方式
3.0A/2000V
IF/VR范围
集成电路老化测试系统
集成电路(HTOL-IC)
BTI-T3000
(16通道)
150℃
最高试验温度
16
试验通道数
Vcc/Vmux/Vee
直流电压源
BTI-T3000pro
(TDBI)
150/175℃
最高试验温度
16
试验通道数
逻辑值比较
TDBI
BTI-X3300
(功率15W以下IC)
150℃
最高试验温度
16
试验通道数
184路/16M
数字信号
BTI-T3900
(晶体振荡器)
150℃
最高试验温度
320
整机工位数
100~200MHz
频率检测范围
BTI-X3300pro
(DSP/FPGA)
150℃
最高试验温度
10
试验通道数
256路/10M
数字信号
电源模块/继电器
电源模块(能量反馈型)
BTE-T283
(16通道)
125℃
最高试验温度
192
整机工位数
48V/50W
单路负载能力
BTE-T285
(大功率老化房)
单通道8路正极性
电子负载
3.0V~100.0V
适用范围
0.05A~20.00A
负载电流范围
继电器高温老化系统
BTSR-T160
(固态继电器)
150℃
最高试验温度
256
整机工位数
0~10.0A
电子负载
BTR-T180
(电磁继电器)
150℃
最高试验温度
256
整机工位数
开关/低电平
试验方式
其他More
BTE-T252
(三端稳压器)
150℃
最高试验温度
640
整机工位数
200mA/5W
单路电子负载
BTD-T886
(光电器件/光通讯模块)
16
整机通道数
单光耦896
整机工位数
200mA/5W
单路电子负载
BTD-T886
(光电器件/光通讯模块)
150℃
最高试验温度
2560
整机工位数
64路
单通道恒流源
BTD-T910
(电阻器)
150℃
最高试验温度
640
整机工位数
开尔文测试
测试模式
SiC晶圆高温老化测试
SiC晶圆高温老化测试系统
WLXB6000
(SiC Wafer Level)
200℃
测试温度
768*3
整机工位数
GB:±60V RB:2000V
最高试验电压
电容器高温试验设备
电容器可靠性试验
BTC-T400
(16通道)
175℃
最高试验温度
640
整机工位数
1200V
最高试验电压
BTC-T400H
(超高压6000V)
175℃
最高试验温度
384
整机工位数
6000V
最高试验电压
BTC-T481
(威布尔weibull/钽电容)
175℃
最高试验温度
1120
整机工位数
300V
最高试验电压
BTC-X4000
(MLCC 10000units)
210℃
最高试验温度
10000
整机工位数
200.0V
最高试验电压
微波器件 老化试验
微波功率器件直流老化
BTW-T530
(10W以下)
175/200/250℃
最高试验温度
192
整机工位数
15V / 100mA
最大试验条件
BTW-T550
(10W以上)
45~150℃
壳温控制
48
试验工位数
55V/8A/150W
最大试验条件
微波功率器件射频老化
BTW-T540
(VCO / 10W以下)
150℃
最高试验温度
64
整机工位数
点频加载
激励信号
BTW-T560
(VCO / 10W以上)
45~150℃
壳温控制
48
试验工位数
L/P/S/C/X可选
射频激励
BTW-T598
T/R组件
针对器件
5路独立电源
试验电源
水冷
散热方式
配件系列
老化测试座
老化测试座Test socket定制
自主开模设计
实现方式
150/175℃
最高耐温
>50K小时
使用寿命
老化板
老化板Burn-in Board 定制
自主开板设计
实现方式
150/175/200℃
最高耐温
>50K小时
使用寿命
夹具/治具
射频夹具 RF fixture
旋进式垂直下压
设计方式
高低频匹配
外围匹配
>10K小时
使命寿命
迪派大功率直流电源
中安下属子公司
(迪派电源)
750W/1200W
19英寸2U
2400W
数显程控
6000W
低纹波/高可靠
连接器
高温连接器
自主开模
设计方式
150/175/200℃
耐温范围
>50K小时
使用寿命
了解中安
研发&制造
售后支持
销售服务
产品介绍
产线型自动老化系统
高温偏置类老化系统
正向功率老化系统
集成电路老化测试系统
电源模块/继电器
SiC晶圆高温老化测试
电容器高温试验设备
更多
解决方案
半导体分立器件可靠性试验
IGBT行业可靠性解决方案
第三代半导体可靠性解决方案
IPM器件可靠性试验方案
自动老化线
IC芯片可靠性试验解决方案
第三方实验室整体筹建解决方案
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