0571-85123400
中安
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BTR-T610(超高压8000V)
高温反偏老化试验系统--超高压Max 8KV

系统能满足各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的

高温反偏试验(HTRB)和老化筛选。


 高温试验箱

R.T.~210);温度均匀性:±3℃(空载);-波动度:±0.5℃



 容量

16个试验通道单板80个工位整机1280工位



 试验电源

配置反偏电源 *8Max 2000V 栅偏电源*4Max 60V



 驱动板数量

16块;


电压检测:0.0~6000.0V;精度:±(0.5% rdg.+ 1LSB ) ;分辨率:1V

电流检测:0.001μA~50.00mA;精度:±(1% rdg.+0.01)μA;分辨率:0.001μA

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