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中安
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BTR-T640(微波SiC/GaN)
SiC/GaN化合物高温反偏老化试验系统(HTRB)--Vd+Vg截止

满足SiC/GaN化合物微波器件的高温反偏/栅偏试验(HTRB/HTGB)和高温漏电流测试(HTIR)


1.VD电压范围:0~1000V;

2.VG电压范围:-60~0V

3.反向漏电流检测范围:1uA~50mA

4.温度控制范围:(室温+10)℃~200℃;



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