满足SiC/GaN化合物微波器件的高温反偏/栅偏试验(HTRB/HTGB)和高温漏电流测试(HTIR)
1.VD电压范围:0~1000V;
2.VG电压范围:-60~0V
3.反向漏电流检测范围:1uA~50mA
4.温度控制范围:(室温+10)℃~200℃;
专用定制型设备
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