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中安
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BTR-T651(DHTRB)
动态高温反偏试验系统--DHTRB/DRB

满足SiC MOSFET，TO220、TO247单管封装/模块封装的动态高温反偏试验(DHTRB)老炼筛选。

AQG-324试验标准

┃ 试验环境

试验温度 / 湿度范围：-20℃～+150℃ / 25～98%RH



┃ 试验数量

8 个试验抽屉,单抽屉 12 个独立试验工位，整机共计 96 工位(单管)



┃ 试壳温检测及控制范围

室温 ～200℃; 壳温检测及控制精度：±1%＋2℃



┃ 电源配置

最大2000V程控高压电源(按实际需求配置)



┃ 加电模式

 

 

程控幅度VPP范围：0～2000V；

dv/dt：≥ 50V/nS

频率：≥ 300KHz（单管）；≥ 50KHz（模块)

过冲：＜15%



┃ 电压检测

0.0～2000V；精度：±(1%rdg.+ 0.2V)；分辨率：0.1V



┃ 阈值电压检测

范围：0.10V～10.00V；计量起始点：0.5V；最小分辨率：0.01V；精度：±(1%rdg.+0.01)V



┃ 漏电流检测

范围：0.1nA~50mA；计量起始点：1uA；精度：±（1% rdg.+0.1）nA；



专用定制型设备

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