贴合AEC-Q101标准要求开发设计,
功能覆盖二极管、三极管、MOS管、IGBT单管等Si / SiC / GaN分立器件的间歇寿命试验IOL
和稳态寿命试验CFOL;系统可直观监测IOL试验全过程中每个DUT的△Tj。
┃ 风冷试验腔 | 16通道;室温风冷型 |
┃ 容量 | 串联模式:单板 80 工位同时检测△Tj / 整机1280工位; 并联模式:单板 48 工位同时检测△Tj / 整机 768工位 |
┃ 试验电源 | (0~60V/2400W)*16台 |
┃ 驱动检测板
| 数量: 16块 |
恒流源: 单板4路20A恒流源输出,并联可达60A,可用于IGBT单管; | |
试验电压检测: 0.00V~99.9V;精度:±(1% + 1LSB); | |
Id检测范围: 0.1A~20.0A(二极管/MOS/IGBT);0mA~400mA(三极管/MOS) | |
Vf检测精度: ±1mV | |
Im发生范围: 0~99.9mA ; 精度:±(1% + 1LSB) | |
Tj结温测试: 20℃~175℃;精度:±(1% + 1LSB) |