0571-85123400
中安
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BTD-T810(IOL-△Tj测试)
间歇寿命试验系统IOL

贴合AEC-Q101标准要求开发设计,

功能覆盖二极管、三极管、MOS管、IGBT单管等Si / SiC / GaN分立器件的间歇寿命试验IOL

和稳态寿命试验CFOL;系统可直观监测IOL试验全过程中每个DUT的△Tj。


 风冷试验腔

16通道;室温风冷型



 容量

串联模式:单板 80 工位同时检测△Tj / 整机1280工位;

并联模式:单板 48 工位同时检测△Tj / 整机 768工位



 试验电源

0~60V/2400W)*16台



 驱动检测板

 

数量:               16块

恒流源:            单板4路20A恒流源输出,并联可达60A,可用于IGBT单管;

试验电压检测:  0.00V~99.9V;精度:±(1% + 1LSB);

Id检测范围:     0.1A~20.0A(二极管/MOS/IGBT);0mA~400mA(三极管/MOS)

Vf检测精度:     ±1mV

Im发生范围:     0~99.9mA ; 精度:±(1% + 1LSB)

Tj结温测试:      20℃~175℃;精度:±(1% + 1LSB)


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