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WLXB6000(SiC Wafer Level)
SiC晶圆高温老化测试系统+晶圆上下料机

WLXB6000 SiC晶圆级老化测试系统适用于8英寸及以下、同时5片晶圆独立高温栅偏试验(HTGB)、高温反偏试验(HTRB)、Vth测试及老化筛选。系统符合并满足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等试验标准;提供API接口,开放设备状态、通道状态、试验数据、失效数据等对外接口,可部署在私有云或者公有云上,实现实验室设备、工作人员、任务及数据的数字化管理,提升试验效率及试验规范化、标准化程度。


┃ 试验数量

整机支持2304(768*3)个通道同时老化;

┃ 试验温度

每区加热台室温~200℃,准确性±2℃,温度过冲≤3℃;

┃ HTRB

┃ 电流检测

电压0~2000V,分辨率1V;

0.1μA~50mA,分辨率0.1uA,检测精度±(1%rdg.+2LSB)

┃ HTGB

┃ 电流检测

电压±60V,分辨率0.1V;

10nA~100uA,分辨率10pA,检测精度±(1% rdg.+2LSB)

┃ 阈值电压检测

┃ 保护气压

Max30V,分辨率0.1V;

0~4bar惰性气体




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