系统能通过配置不同老化板来满足Si/SiC/GaN芯片的
各种封装形式二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆和 IGBT 单管等半导体分立器件的
高温反偏/栅偏可靠性测试和老化筛选。
┃ 高温试验箱 | R.T.~(200℃);温度均匀性:≤±3℃(空载);波动度:≤±0.5℃; |
┃ 容量 | 16个试验通道;单板80工位 / 整机1280工位; |
┃ 试验电源 | 配置反偏电源 *8台;Max 2000V; 栅偏电源*4台;Max 60V; |
┃ 驱动板数量 | 16块; |
HTRB 电压检测:0.0~2000.0V;精度:±(0.5% rdg.+ 0.1) V;分辨率:0.1V 电流检测:1nA~50.00mA;精度:±(0.5% rdg.+0.01)μA;分辨率:1nA | |
HTGB 电压检测:0.0~60.0V;精度:±(0.3% rdg.+ 0.2) V;分辨率:0.1V 电流检测:1pA~666μA;精度:±(1% rdg.+0.1)μA;分辨率:1pA |